報告題目：InGaAs/InAlAs 雪崩光電探測器的研制及其應(yīng)用

　　報告人：趙彥立（武漢光電國家研究中心）

　　時間：4月28日（星期一）15:00-16:00

　　地點：理學(xué)院1-401

　　報告摘要：近年來,，伴隨著智能駕駛技術(shù),、量子保密通信、3D成像及空天一體化通信等應(yīng)用領(lǐng)域的不斷發(fā)展,，高速雪崩光電探測器（APD）逐漸成為研究熱點,。InGaAs/InP及InGaAs/InAlAs單光子雪崩光電二極管(SPAD)是近紅外光探測系統(tǒng)的核心芯片。經(jīng)長期積累,，已報道的InGaAs/InP SPAD展示出實用性強,、可靠性高等優(yōu)勢，是目前商用近紅外單光子探測的主流選擇,。但值得思考的是,，InGaAs/InAlAs APD具有更大的增益-帶寬積，更能滿足“高速”光探測系統(tǒng)的需求,。本報告報道了匯報人課題組在“高速”InGaAs/InAlAs APD的優(yōu)化設(shè)計和研制方面的近期進展,，探討了其在智能駕駛用激光雷達(dá)、單光子探測,、光計數(shù)通信及X-Ray探測等領(lǐng)域的實際應(yīng)用,。

　　報告人簡介：

　　趙彥立，博士,，教授,，博士生導(dǎo)師，武漢光電國家研究中心研究員,。2002 年7月在浙江大學(xué)獲得博士學(xué)位,。2002 年7月-2004年12月在武漢郵電科學(xué)研究院（武漢電信器件有限公司，WTD）工作,，主要從事通信用光探測器的研究,；2004 年12月-2006年12月于（日本）名古屋大學(xué)量子工程系/Venture Business Laboratory（VBL）從事博士后研究工作。2006年12月年作為引進人才受聘于華中科技大學(xué)/武漢光電國家研究中心任副教授,、教授至今,。在 IEEE/Optica Journal of Lightwave Technology,、IEEE Sensor Journal、Optics Express, IEEE Electron Device Letters 等國際知名雜志發(fā)表論文50余篇,，授權(quán)專利20余項,，包括2項美國專利。